Specyfikacja techniczna:

Typ tranzystora: IGBT, kanał N (NPN);
Maksynalne obciążenie Ic: 25A (chwilowe Icm: 90A);
Maksymalne napięcie wyjściowe Vces: 1200V;
Napięcie wyzwolenia/progrowe Vgs(th): 3,5 – 7,5V;
Maksymalne napięcie wejściowe bramki Vges: +/-20V;
Czas załączenia/wyłączenia: 60/100ns;
Obudowa: TO247AD (TO3P), 3piny;
Przewlekany (THT) – pasuje do płytek prototypowych.
Wymiary (całkowite, z nóżkami): 40x16x5mm,
Wymiary nóżek: 20×1,2×0,6mm;
Rozstaw pinów (raster): 5,08 mm;
Zakres temperatury pracy: od -55°C do 150°C;

Opis

Fabrycznie nowy (24 miesiące gwarancji):

IGBT FGA25N120ANTD, 1200V/25A – bardzo silny tranzystor NPN!

Name: Silny Tranzystor IGBT FGA25N120ANTD, 1200V/25A NPN
SKU: 281
Availability: InStock

Przedmiotem niniejszej aukcji jest bardzo silny tranzystor mocy z izolowaną bramką (IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor) NPN:

IGBT FGA25N120ANTD, 1200V/25A stosowanych w układach wysokiej mocy, sterowanych elektronicznie (np. projektach Arduino i przy zasilaniu wysoko-prądowych aplikacji, jak silników i innych obciążeń).

Budowa i zasada pracy IGBT jest bardzo zbliżona do MOSFET-ów, jednak umożliwia sterowania znacznie wyższymi prądami (nawet do 1kA) i napięciami (blokowanie do 6kV), jednak kosztem niższej częstotliwości przełączania (zwykle do 50kHz) i wyższym wymaganym napięciem na bramce – na szczęście wyższa częstotliwość mało kiedy jest potrzebna, a podniesienie napięcia można łatwo i tanio wykonać w projekcie.