IGBT N-ch IRGP50B60PD1 600V/75A Silny Tranzyst NPN

IGBT N-ch IRGP50B60PD1 600V/75A Silny Tranzyst NPN

29,99 zł

Specyfikacja techniczna:

  • Typ tranzystora: IGBT, kanał N (NPN);
  • Maksynalne obciążenie Ic: 75A (chwilowe Icm: 150A);
  • Maksymalne napięcie wyjściowe Vces: 600V;
  • Napięcie wyzwolenia/progrowe Vge(th): 3,0 – 5,0V;
  • Maksymalne napięcie wejściowe bramki Vge: +/-20V;
  • Czas załączenia/wyłączenia (przy Vge=15V): 30/130ns;
  • Maksymalna moc przy 25°C Pd: 390W;
  • Rce(on): 0,061 Ohm
  • Obudowa: TO247AD (TO3P), 3piny;
  • Przewlekany (THT) – pasuje do płytek prototypowych.
  • Wymiary (całkowite, z nóżkami): 40x16x5mm,
  • Wymiary nóżek: 20×1,2×0,6mm;
  • Rozstaw pinów (raster): 5,08 mm;
  • Zakres temperatury pracy: od -55°C do 150°C;
Kategorie: , Znaczniki: , ,

Opis

Fabrycznie nowy (24 miesiące gwarancji):

IGBT IRGP50B60PD1, 600V/75A – bardzo silny tranzystor NPN!

Przedmiotem niniejszej aukcji jest bardzo silny tranzystor mocy z izolowaną bramką (IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor) NPN: IGBT IRGP50B60PD1, 600V/75A stosowanych w układach wysokiej mocy, sterowanych elektronicznie (np. projektach Arduino i przy zasilaniu wysoko-prądowych aplikacji, jak silników i innych obciążeń).

Budowa i zasada pracy IGBT jest bardzo zbliżona do MOSFET-ów, jednak umożliwia sterowania znacznie wyższymi prądami (nawet do 1kA) i napięciami (blokowanie do 6kV), jednak kosztem niższej częstotliwości przełączania (zwykle do 50kHz) i wyższym wymaganym napięciem na bramce – na szczęście wyższa częstotliwość mało kiedy jest potrzebna, a podniesienie napięcia można łatwo i tanio wykonać w projekcie.

Podobne produkty